USHIO照度计广泛应用于光化学、高分子材料老化、医疗消毒、环保监测、食品加工等多个领域，用于监测紫外线对化学物质的影响、评估紫外线消毒效果、监测紫外线对大气和水体的影响等。在使用时，应避免其他光源的干扰，以确保测量结果的准确性。同时，定期进行校准和维护，也是保证其长期稳定性和可靠性的重要措施。USHIO照度计在使用过程中可能会遇到问题，影响其测量精度和稳定性。以下是常见问题及其相应的解决方法，帮助用户更好地维护和使用。1、测量结果不准确测量结果不准确可能由传感器老化、校准失...

高压开关柜是一种组合式电器，它可以集断路器、负荷开关、接触器、隔离开关、熔断器、互感器、避雷器、电容器、母线以及相应的测量装置、信号装置、连锁装置和通信系统等电气设备于一个长方柜的金属外壳内。高压开关柜主要劣化因素由于各种原因，运行中的高压开关柜会随着时间的推移发生劣化，并且时时影响着电网的安全。主要劣化因素有：（1）热劣化。由于设备运行中的温度升高导致绝缘性能下降。（2）电劣化。绝缘材料的电场集中处会导致绝缘性能下降。（3）机械劣化。机械应力导致的零件损坏、变形、龟裂和磨损...

在高频开关电源中，应用压电（Piezo-e1ectric）变压器（简称PET）可以使开关电源实现轻、小、薄和高功率密度。例如，一台DC/DC开关电源中的PET，其DC/DC转换器输人为有源钳位ZVS逆变电路，产生梯形波交流电，经过PET输出给整流滤波电路。这里应指明的是，PET不属于磁元件的范围。压电变压器是利用压电陶瓷材料te有的电压一振动转换和振动一电压转换的性质传送电能的，其等效电路如同一个串并联谐振电路。它是功率转换领域的研究热点之一，研究的内容包括：压电材料的损耗评...

对于低电压大电流输出的开关电源，进一步提高其效率的措施是：在应用软开关技术的基础上，以功率MOS管反接作为整流用开关二极管，称为同步整流（SynchronousRectifier，SR），用皿代替肖特基二极管（SBD）可以降低整流管压降，从而提高开关电源的效率。有报道称，应用软开关和同步整流技术的小功率DC/DC转换器开关电源，48/12V模块的效率可以达到96％、48％/5V模块的效率可以达到92％～93％。日本在一台100W的软开关（ZVS）开关电源上试验的结果是，用SB...

1980年以前，开关电源中PWMDC/DC转换器的开关频率为20～50kHz，从1980年起，提高开关频率成为减少开关电源尺寸的有效手段，同时也改善了开关电源的动态性能。现在⒛0～500kHz已成为输出100W以下开关电源的标准开关频率。特殊制造的小功率开关电源，其开关频率已经达到了几兆赫。如表给出了20世纪70年代以后的30年，通信和计算机用开关电源DC/DC转换器高功率密度的发展进程。可见，高频化、高功率密度和高效率是开关电源技术发展进步的重要标志。高效率和软开关技术PW...

现阶段市场上使用的塑料加工机械的加热方式是的电热圈发热，再传导到料筒上，存在热传导损失，并导致环境温度上升。只有紧靠在料筒表面内圈的热量传导到料筒上，而外圈的热量大部分散失到空气中，造成热量的损失。而电磁加热技术是使金属料筒自身发热，而且料筒外部又包裹着隔热保温材料，大大减少了热传导损失和热量对空气的散失，提高了热效率，避免了环境温度的上升，因此节电效果十分显着，可达30％～75％，因此电磁加热圈本身并不发热，而且是采用陶瓷材料和高温电缆制造，所以不存在原电热圈的电阻丝在高温...

在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀，是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的掩蔽层窗口，与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法[1]。该工艺技术的突出优点在于，可以获得极其精确的特征图形。超大规模集成电路的发展，要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成极其精确的图形转移。任何偏离工艺要求的图形或尺寸，都可能直接影响产品性能或品质，给生产带来无法弥补的损害。由于干法刻蚀技术在图形...

刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形。刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。我们通常通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀，可作为掩蔽膜，保护硅片上的部分特殊区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性的刻蚀掉。